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型号 SI3458BDV-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
SI3458BDV-T1-E3 PDF
代理商 SI3458BDV-T1-E3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 3.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 30V
功率 - 最大 3.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI3458BDV-T1-E3CT
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